科技日報(bào)記者 張夢然
美國麻省理工學(xué)院團(tuán)隊(duì)在最新一期《自然》雜志上介紹了一種創(chuàng)新的電子堆疊技術(shù)。該技術(shù)能顯著增加芯片上的晶體管數(shù)量,從而推動人工智能(AI)硬件發(fā)展更加高效。通過這種新方法,團(tuán)隊(duì)成功制造出了多層芯片,其中高質(zhì)量半導(dǎo)體材料層交替生長,直接疊加在一起。
隨著計(jì)算機(jī)芯片表面容納晶體管數(shù)量接近物理極限,業(yè)界正在探索垂直擴(kuò)展——即通過堆疊晶體管和半導(dǎo)體元件到多個(gè)層次上來增加其數(shù)量,而非繼續(xù)縮小單個(gè)晶體管尺寸。這一策略被形象地比喻為“從建造平房轉(zhuǎn)向構(gòu)建高樓大廈”,旨在處理更多數(shù)據(jù),實(shí)現(xiàn)比現(xiàn)有電子產(chǎn)品更加復(fù)雜的功能。
然而,在實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的過程中遇到一個(gè)關(guān)鍵障礙:傳統(tǒng)上,將硅片作為半導(dǎo)體元件生長的主要支撐平臺,體積龐大且每層都需要包含厚厚的硅“地板”,這不僅限制了設(shè)計(jì)靈活性,還降低了不同功能層之間的通信效率。
為了解決這個(gè)問題,工程師們開發(fā)了一種新的多層芯片設(shè)計(jì)方案,摒棄了對硅基板的依賴,并確保操作溫度保持在較低水平以保護(hù)底層電路。這種方法允許高性能晶體管、內(nèi)存以及邏輯元件可以在任何隨機(jī)晶體表面上構(gòu)建,而不再局限于傳統(tǒng)的硅基底。沒有了厚重的硅“地板”,各半導(dǎo)體層之間可以更直接地接觸,進(jìn)而改善層間通信質(zhì)量與速度,提升計(jì)算性能。
這項(xiàng)技術(shù)有望用于制造筆記本電腦、可穿戴設(shè)備中的AI硬件,其速度和功能性將媲美當(dāng)前的超級計(jì)算機(jī),并具備與實(shí)體數(shù)據(jù)中心相匹配的數(shù)據(jù)存儲能力。這項(xiàng)突破為半導(dǎo)體行業(yè)帶來了巨大潛力,使芯片能夠超越傳統(tǒng)限制進(jìn)行堆疊,極大提升了人工智能、邏輯運(yùn)算及內(nèi)存應(yīng)用的計(jì)算能力。
總編輯圈點(diǎn):
這項(xiàng)技術(shù)的出現(xiàn),標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一個(gè)重要里程碑。其不僅突破了現(xiàn)有材料和技術(shù)的限制,還預(yù)示著未來AI硬件可能實(shí)現(xiàn)的巨大飛躍——你手中的筆記本電腦速度和功能甚至可與當(dāng)今超算相匹敵。這不僅是對消費(fèi)電子產(chǎn)品的升級,更是對整個(gè)信息處理范式的革新,有望開啟一個(gè)計(jì)算資源更加普及且效能更高的時(shí)代。