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科技新突破丨新光刻技術面世 超越半導體制造業(yè)標準界限

2024-08-01 21:11:37 來源: 科技日報 點擊數(shù):

日本沖繩科學技術大學院大學設計了一種新型極紫外(EUV)光刻技術,超越了半導體制造業(yè)的標準界限。這項技術能讓光刻設備使用較小的EUV光源,降低了成本,同時提升了機器的可靠性并延長了其使用壽命。新設計使得功耗降低至傳統(tǒng)EUV光刻機的十分之一,有助于推動半導體行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。

(科技日報記者 張夢然 趙衛(wèi)華)

責任編輯:陳可軒

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